IXFH170N10P
IXFK170N10P
180
160
Fig. 1. Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
320
280
Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T J = 25oC
V GS = 10V
140
120
9V
8V
240
200
9V
100
80
160
8V
60
40
7V
120
80
7V
6V
20
40
6V
0
5V
0
5V
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
5.0
180
V DS - Volts
Fig. 3. Output Characteristics @ T J = 150oC
V GS = 10V
2.4
V DS - Volts
Fig. 4. R DS(on) Normalized to I D = 85A Value vs.
Junction Temperature
160
140
120
100
80
60
9V
8V
7V
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
V GS = 10V
I D = 170A
I D = 85A
6V
40
1.0
20
0
5V
0.8
0.6
0.0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
2.8
3.2
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
3.0
V DS - Volts
Fig. 5. R DS(on) Normalized to I D = 85A Value vs.
Drain Current
180
T J - Degrees Centigrade
Fig. 6. Maximum Drain Current vs.
Case Temperature
2.6
V GS = 10V
15V - - - - -
160
External Lead Current Limit
140
2.2
T J = 175oC
120
100
1.8
80
1.4
60
1.0
0.6
T J = 25oC
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
350
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
I D - Amperes
? 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved
T C - Degrees Centigrade
相关PDF资料
IXFK170N10 MOSFET N-CH 100V 170A TO-264AA
IXFK180N085 MOSFET N-CH 85V 180A TO-264AA
IXFK180N10 MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA
IXFK180N15P MOSFET N-CH 150V 180A TO-264
IXFK20N120P MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
IXFK20N120 MOSFET N-CH 1200V 20A TO-264
IXFK21N100Q MOSFET N-CH 1000V 21A TO-264
IXFK220N15P MOSFET N-CH 150V 220A TO-264
相关代理商/技术参数
IXFK170N20P 功能描述:MOSFET 170 Amps 200V 0.014 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK170N20T 功能描述:MOSFET 170A 200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK180N07 功能描述:MOSFET 180 Amps 70V 0.006 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK180N085 功能描述:MOSFET 180 Amps 85V 0.007 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK180N10 功能描述:MOSFET 100V 180A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK180N10_09 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiperFET Power MOSFETs
IXFK180N15P 功能描述:MOSFET 180 Amps 150V 0.011 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK180N25T 功能描述:MOSFET 180A 250V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube